エルピーダメモリ、データ転送速度が毎秒9・6GBのDRAM開発


 エルピーダメモリはデータの転送速度が毎秒9・6ギガバイト(ギガは10億)で、高速型とされるDDR2―DRAMの6倍の性能を持つ新型DRAMを開発した。12月からサンプル出荷し08年4月に量産を開始する。半導体チップ間の高速インターフェースを開発する米ラムバスと共同開発した。データの書き込み、読み出しが高速になるためパソコンやゲーム機、デジタル家電の高性能化に結びつく。
 ラムバスが開発したインターフェースXDRメモリーアーキテクチャーを採用した512メガビット(メガは100万)DRAM。回路先幅70ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスで製造。回路微細化で4・8ギガヘルツで動作できるようにした。1ピンで毎秒4・8ギガビットのデータ転送でき、16ピン構成で毎秒76・8ギガビット(9・6ギガバイト)の高速転送を実現した。
(2007.10.8/日刊工業新聞)
[PR]

by fbitnews2006-6 | 2007-10-08 15:37 | 周辺機器  

<< テレビはどこまで「薄く」「安く... YouTubeを利用したスパム... >>