サムスン、次世代メモリーを08年初頭に量産

韓国サムスン電子の黄昌圭(ファン・チャンギュ)半導体総括社長は27日、台北市内で記者会見し、次世代メモリーの一種であるPRAM(相変化式随時書き込み読み出しメモリー)の量産を2008年1―3月期に始める計画を明らかにした。エルピーダメモリや米インテルもPRAMを開発中だが、サムスンはいち早く量産を決めた。

 PRAMは記憶容量が大きく、読み書きスピードも速い。黄社長は「PRAMは従来の『NOR型』フラッシュメモリー(電気的に一括消去・再書き込み可能なメモリー)を代替できる」と語った。用途は「携帯機器になる」と指摘。生産量は明らかにしなかったが、直径200ミリシリコンウエハーを原材料とする既存工場で生産するとした。(2007.3.28/日本経済新聞)
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by fbitnews2006-6 | 2007-03-28 10:10 | 周辺機器  

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